0 / 0 / 0
Регистрация: 27.05.2010
Сообщений: 64
|
|
1 | |
теория NMOS. отличие идеального транзистора от реального20.05.2015, 18:06. Показов 4821. Ответов 4
Метки нет (Все метки)
Здравствуйте!
в ходе отладки одной схемы возникло желание чуть лучше разобраться в работе полевого транзистора. В книге Нимена приведены такие формулы для расчёта тока стока в зависимости от напряжения на затворе: id = Kn * [2 * (Vgs - Vtn) * Vds - Vds ^ 2] для ненасыщенной области и id = Kn * [(Vgs - Vtn) ^ 2] для насыщенной Хочется вычислить Kn, который вроде бы является производственным параметром и должен у транзистора быть постоянным. вычислив несколько значений Kn для 2N7002 можно увидеть, что с ростом напряжения на затворе Kn уменьшается. не сильно, но заметно. почему так происходит? связан ли этот эффект как-то с эффектом Эрли? спасибо
0
|
20.05.2015, 18:06 | |
Ответы с готовыми решениями:
4
Подбор частот для пяти фильтров для обработки реального и идеального сигналов Молекулярно-кинетическая теория идеального газа Доказательство того, что теория S - теория первого порядка с равенством (по Мендельсону) Теория принятия решений Теория игр |
0 / 0 / 0
Регистрация: 15.06.2012
Сообщений: 3,097
|
|
20.05.2015, 19:42 | 2 |
А по какой формуле считали? Дело в том, что первая формула общая, а вторая упрощение (принимается, что в режиме насыщения Vds=Vgs - Vth, хоть это и не совсем так).
0
|
0 / 0 / 0
Регистрация: 27.05.2010
Сообщений: 64
|
|
20.05.2015, 19:53 | 3 |
считал по обоим для разных областей. может проблема в том, что неправильно определил параметры по кривым, но параметр имеет тенденцию к уменьшению при увеличении тока в одной области и к увеличению в другой. вот данные для 2N7002 для ненасыщенного режима для Vds = 1.5 V, Vtn = 2 V, Vgs = 3.5, 4, 4.5 V, i = 0.19, 0.39, 0.57 A:
Kn = 0.152, 0.104, 0.091 а вот для насыщенного: Vgs = 3.5, 4, 4.5 V, i = 0.2, 0.43, 0.72 A: Kn = 0.088, 0.107, 0.115
0
|
0 / 0 / 0
Регистрация: 15.06.2012
Сообщений: 3,097
|
|
20.05.2015, 23:55 | 4 |
Для начала тут небольшая проблема в арифметике, у меня Kn получился 0.084, 0.104, 0.109 и 0.089, 0.108, 0.115 соответственно.
Ну а дальше есть еще систематическая ошибка - так как непосредственного доступа к концам канала нет, измерить Vds и Vgs нельзя. Надо прикинуть величину паразитных сопротивлений (кремний, выводы) в цепях стока и истока, рассчитать падения напряжений исходя из тока стока, отнять их от сделанных измерений...
0
|
0 / 0 / 0
Регистрация: 27.05.2010
Сообщений: 64
|
|
24.05.2015, 18:36 | 5 |
Точно, спасибо :)
поправил арифметику, всё равно для некоторых транзисторов разброс почти в два раза получается. сопротивление выводов там, наверное, всё равно будет на порядок меньше Rds_on
0
|
24.05.2015, 18:36 | |
24.05.2015, 18:36 | |
Помогаю со студенческими работами здесь
5
Поиск идеального прокси Модель идеального газа Вычисление идеального веса Работа идеального газа Состояние идеального газа Выбор идеального ноутбука Искать еще темы с ответами Или воспользуйтесь поиском по форуму: |