Форум программистов, компьютерный форум, киберфорум
Наши страницы
Электротехника, ТОЭ
Войти
Регистрация
Восстановить пароль
 
vitaly38
1 / 1 / 0
Регистрация: 12.10.2009
Сообщений: 32
1

задачи

04.09.2016, 00:44. Просмотров 291. Ответов 3
Метки нет (Все метки)

Добрый день. Не могу найти вообще никаких формул. Задачи вообще не гуглятся.
Информации 0.

1) Подложки кремния p-типа проводимости с ориентацией (100), легированные до уровня X см-3, подвергались ионной имплантации мышьяка с ионной дозой Y см-2 при энергии ионов Z кэВ и последующей диффузии при температуре Т °С в течение 30 мин в атмосфере азота. Определите поверхностную концентрацию электрически активного мышьяка.

ничего не гуглится, вообще!! ни одна задача ни одной формулы. ничего! как может что то не гуглится в 21 веке то.
2) Подложки кремния p-типа проводимости с ориентацией (100), легированные до уровня X см-3, подвергались ионной имплантации мышьяка с ионной дозой Y см-2 при энергии ионов Z кэВ и последующей диффузии при температуре Т °С в течение 30 мин в атмосфере азота. Определите поверхностную концентрацию электрически активного мышьяка.



3) Ионный пучок с величиной тока X мкА имеет полуугловое расхождение С° после прохождения квадратной апертурой диафрагмы (8x8 см), расположенной на расстоянии Y см от мишени. Определите время процесса, необходимое для ионной имплантации с дозой Z см-2 для однократно ионизированных моноатомных частиц.



4) Допускаем, что для формирования полезного изображения в резисте перенос модуляции шаблона на рентгеновский резист равен или больше X. Какова минимальная толщина слоя золота на шаблоне для рентгеновской литографии, необходимая для удовлетворения этого требования, при экспонирующем излучении с длиной волны Y нм.



5) Дорожка поликристаллического кремния толщиной 0,5 мкм проходит через ступеньку изолирующего окисла высотой 1,1 мкм и через подзатворный окисел толщиной 0,05 мкм. Вычислите необходимые значения селективности травления относительно маски и подзатворного окисла, если травление поликристаллического кремния осуществляется в процесс, характеризуемом 10%-ной однородностью скорости травления, Аf = 1,0 и Аm= 0,5.


Однородность толщины слоя поликристаллического кремния,
%
Однородность скорости травления маски,
%
Угол наклона края элемента маски,
°
Точность контроля ширины вытравливаемых линий,
мкм

5
5
10
0,1


6) : Каково содержание кислорода в пленках А1, осаждаемых со скоростью , если при температуре Т, давление остаточных паров воды в камере испарения А1 равно р. Предположите, что реакция А1 с парами воды приводит к внедрению А1203 в осаждаемую пленку, а вероятность вступления в реакцию каждой молекулы воды составляет 10-3.



7) Постройте зависимость изменения величины порогового напряжения ∆VT от смещения на подложке VBS для полевых МОП-транзисторов с толщиной подзатворного окисла 35 нм, сформированных на однородно легированных подложках с уровнем легирования.


Уровень легирования,
см-3

1×1015
0
Надоела реклама? Зарегистрируйтесь и она исчезнет полностью.
Similar
Эксперт
41792 / 34177 / 6122
Регистрация: 12.04.2006
Сообщений: 57,940
04.09.2016, 00:44
Ответы с готовыми решениями:

задачи
здраствуйте форумчане. я у вас тут новенький так что прошу сильно не пинать а...

Задачи
Помогите решить кто знает. А то никак не выходит.(

Задачи по ТОЭ
Прошу помощи с задачами по ТОЭ, из третьего снимка любые три, из первых двух...

Задачи по ТОЭ
Добрый всем день, я знаю будет звучать глупо и нагло но всё равно попрошу....

Метод решения задачи
Доброго времени суток! Имеется следующая задача: Изменение Е4 на 10 В привело к...

3
Hant
3460 / 2375 / 536
Регистрация: 16.09.2012
Сообщений: 8,992
04.09.2016, 13:18 2
Сделай вход через задний проход. Посмотри как называется предмет. К ТОЭ он точно не относится. Какие учебники рекомендуют. Там, наверное, есть примеры подобных задач. Затем находишь нужный учебник и в конце читаешь список, используемой литературы. В этом списке должен проскочить и сборник задач по данной тематике.
0
vitaly38
1 / 1 / 0
Регистрация: 12.10.2009
Сообщений: 32
04.09.2016, 18:11  [ТС] 3
задачи отсюда
{ссылка удалена}

нига: Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2
Рубрика: Аппаратура, Учеба, наука
Название: Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2
Автор: Могэб К., Фрейзер Д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У./ Под ред. С.Зи
Издательство: М: Мир: Редакция литературы по новой технике
Год: 1986
Страниц: 453 с., ил.
0
ValeryS
Модератор
7263 / 5517 / 692
Регистрация: 14.02.2011
Сообщений: 18,681
05.09.2016, 07:26 4
здесь тема закрыта
vitaly38, создайте новую тему в разделе http://www.cyberforum.ru/physics/
соблюдая правила
п 4.3
Создавайте темы с осмысленными и понятными названиями - это серьезно повышает шансы, что на ваш вопрос ответят.
п 5.4
Запрещено создавать темы с бессмысленными названиями вроде "Помогите!", "Вопрос" и т.п.
и п 4.4
На каждый вопрос создавайте по одной теме - это помогает избежать путаницы в ответах и облегчает поиск.
п 5.16
Запрещено создавать темы с множеством вопросов во всех разделах, кроме разделов платных услуг. Один вопрос - одна тема.
(выделено мной)
0
MoreAnswers
Эксперт
37091 / 29110 / 5898
Регистрация: 17.06.2006
Сообщений: 43,301
05.09.2016, 07:26

Решение задачи по ТОЭ
Помогите решить хоть что-то) Правила форума: 5.18. Запрещено размещать...

Проверьте задачи, пожалуйста
Проверьте, пожалуйста, две задачи Задание: Решение:

Задачи на трёхфазные цепи
Имеется симметричная трёхфазная система. Напряжение фазы Uf=100B. R=XL=XC=10...


Искать еще темы с ответами

Или воспользуйтесь поиском по форуму:
4
Закрытая тема Создать тему
Опции темы

КиберФорум - форум программистов, компьютерный форум, программирование
Powered by vBulletin® Version 3.8.9
Copyright ©2000 - 2018, vBulletin Solutions, Inc.
Рейтинг@Mail.ru