Подобрать оперативку старому серверу

[ Массивы памяти / System Memory ]
Свойства массива памяти:
Размещение - Системная плата
Функция массива памяти - Системная память
Коррекция ошибок - Multi-bit ECC
Макс. объём памяти - 16 ГБ ⬇
Устройства памяти - 8

--------[ Системная плата ]---------------------------------------------------------------------------------------------

Свойства системной платы:
ID системной платы - 64-0110-000001-00101111-063006-LINDENHURST$TROUT110_IR2100 BIOS VERSION 1.10 DATE: 06/30/06 08:44:14 CORE VER: 08.00.11
Системная плата - Неизвестно

Свойства шины FSB:
Тип шины - Intel GTL+
Ширина шины - 64 бит
Реальная частота - 200 МГц (QDR)
Эффективная частота - 800 МГц
Пропускная способность - 6400 МБ/с

Свойства шины памяти:
Тип шины - Dual DDR2 SDRAM
Ширина шины - 128 бит
Соотношение DRAM:FSB - 1:1
Реальная частота - 200 МГц (DDR)
Эффективная частота - 400 МГц
Пропускная способность - 6400 МБ/с

Свойства шины чипсета:
Тип шины - Intel Hub Interface
Ширина шины - 8 бит
Реальная частота - 67 МГц (QDR)
Эффективная частота - 267 МГц
Пропускная способность - 267 МБ/с

--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ DIMM7: Samsung M3 93T2950CZ3-CCC ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля - Samsung M3 93T2950CZ3-CCC
Серийный номер - F61C9AE5h (3852082422)
Дата выпуска - Неделя 30 / 2006
Размер модуля - 1 ГБ (1 rank, 4 banks)
Тип модуля - Registered DIMM
Тип памяти - DDR2 SDRAM
Скорость памяти - DDR2-400 (200 МГц)
Ширина модуля - 72 bit
Напряжение модуля - SSTL 1.8
Метод обнаружения ошибок - ECC
Частота регенерации - Сокращено (7.8 us), Self-Refresh

Тайминги памяти:
@ 200 МГц 5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 4-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)
@ 200 МГц 3-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-21-2-3-2-2 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP)

Функции модуля памяти:
Analysis Probe - Нет
FET Switch External - Запрещено
Weak Driver - Поддерживается

--------[ Чипсет ]------------------------------------------------------------------------------------------------------

[ Северный мост: Intel Lindenhurst E7520 ]

Свойства северного моста:
Северный мост - Intel Lindenhurst E7520
Поддерживаемые скорости FSB - FSB800
Поддерживаемые типы памяти - DDR-266 SDRAM, DDR-333 SDRAM, DDR2-400 SDRAM
Максимальный объём памяти - 32 ГБ ⬆
Версия / Stepping - 0C / C4
Тип корпуса - 1077 Pin FC-BGA
Размеры корпуса - 42.5 mm x 42.5 mm
Напряжение питания ядра - 1.5 V
In-Order Queue Depth - 12

Контроллер памяти:
Тип - Dual Channel (128 бит)
Активный режим - Dual Channel (128 бит)

Тайминги памяти:
CAS Latency (CL) - 3T
RAS To CAS Delay (tRCD) - 3T
RAS Precharge (tRP) - 3T
Row Cycle Time (tRC) - 11T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) - 21T
RAS To RAS Delay (tRRD) - 2T
Write Recovery Time (tWR) - 3T
Read To Read Delay (tRTR) - 1T
Read To Write Delay (tRTW) - 2T
Write To Read Delay (tWTR) - 1T
Write To Write Delay (tWTW) - 1T
Refresh Period (tREF) - 7.8 us
Burst Length (BL) - 4

Коррекция ошибок:
ECC - Поддерживается, Запрещено
ChipKill ECC - Поддерживается, Разрешено
RAID - Не поддерживается
ECC Scrubbing - Поддерживается, Разрешено

Разъёмы памяти:
Разъём DRAM 1 - 2 ГБ (DDR2-400 Registered ECC DDR2 SDRAM)

[ Южный мост: Intel 82801EB ICH5 ]

Свойства южного моста:
Южный мост - Intel 82801EB ICH5
Версия / Stepping - C2 / A2/A3
Тип корпуса - 460 Pin mBGA
Размеры корпуса - 31 mm x 31 mm
Технологический процесс - 180 nm
Напряжение питания ядра - 1.5 V
TDP - 2.4 W