Форум программистов, компьютерный форум, киберфорум
Электроника и радиотехника
Войти
Регистрация
Восстановить пароль
Другие темы раздела
Электроника Схема цепи с фоторезистором https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread426689.html
две картинки схема цепи с засвеченным фоторезистором и незасвеченным схемы цепей и бегающие по ним импульсы пунктирчики электроны и монитор разбитый на пиксели координаты с перемещаемым в...
Электроника Для чего в компьютерной мышке нужен фотодиод?
Как можно в картинках это изобрать наглядно,и более понятно объяснить по рисунку При движении мыши резиновый шарик в дне мыши, соприкасающийся с поверхностью коврика, вращает непрозрачные диски с...
Электроника Оптоволокно в компьютере
хотелось бы самую суть основное и хорошую точную картинку в интернете тут нашел,ну тут столько всего не нужного http://physics.nad.ru/sensors/Cyrillic/papers/fiber1.htm
Электроника Подскажите программу для рисования схем замещения Подскажите программу для рисования схем замещения, т.е. чтобы в ней были такие элементы как источник тока и источник ЭДС и направления токов и напряжений можно было ставить. Желательно бесплатную. https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread424367.html
Электроника Ввод данных через COM-порт (нужна схемотехника) https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread421459.html
Здравствуйте! Задумка такова: При помощи VB нужно считывать данные с COM-порта, а конкретней нажатия кнопок на внешнем устройстве. Тоесть я нажимаю кнопку на устройстве, а программа говорит какая...
Диодная схема_Т Электроника
Здравствуйте всем. Помогите разобраться с диодной схемой. Вопрос: Предложите способы повышения быстродействия диодной схемы с объединенными катодами
Электроника Нарисовать схему JK-триггера
Нарисовать схему JK-триггер на элементах И-НЕ, его условно-графическое обозначение. Построить таблицу истинности. Сделайте пожалуйста,Я уже второй день сижу немогу понять как надо.:(
Электроника Нет видеосигнала с игровой приставки Sega Mega Drive К сеге есть шнур, один конец - круглый в поперечнике с тремя штырьками внутри(стандартный штекер), 2ой конец - 2а колокольчика, один видео, другой аудио, их подключаю к телевизору( Prima... https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread413426.html
Электроника Сканирование клавиатуры https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread410740.html
Добрый день! Подскажите пожалуйста как сделать сканирование клавиатуры с помощью программы KP580BM80A ? Заранее благодарен хоть примерно с чего начать
Электроника Что изображено на картинках? Здравствуйте.Помогите,пожалуйста, понять,что изображено на рисунках. https://www.cyberforum.ru/ electronics/ thread410421.html
1611 / 281 / 5
Регистрация: 19.09.2009
Сообщений: 700
01.05.2010, 00:17  [ТС] 0

Справочники по полупроводниковым приборам и ИМС

01.05.2010, 00:17. Просмотров 43245. Ответов 17
Метки (Все метки)

Ответ


Полевые транзисторы наиболее хорошо подходящие для преобразовательной техники. Преимуществ перед биполярными у них уйма, а самое что привлекательное, цена ниже . Наиболее важные преимущества полевиков, на мой взгляд следующие:
1)Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
2) преимущество полевого транзистора можно обнаружить, если вспомнить, что в биполярном транзисторе, помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые прибор приобретает, благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано хорошо нам знакомое время рассасывания, что в конечном итоге обуславливает задержку выключения транзистора. В полевых врюзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
3) повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока. Поведение биполярного транзистора более сложно, повышение его температуры ведет к увеличению тока. Это означает, что биполярные транзисторы не являются термоустойчивыми приборами. В них может возникнуть очень опасный саморазогрев, который легко выводит транзистор из строя.
4) Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число MOSFETов без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассимметрирования токов, что, очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.
5) полное отсутствие вторичного пробоя. Это преимущество позволяет эффективнее использовать полевой транзистор по передаваемой мощности.
Что касается выбора транзисторов, то порядок примерно тот же самый, сначала быстродействие затем мощность.
Ну и так все по порядку.
Подбираем аналог полевика.
речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, "logic-level", полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов
Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.
Примеры:

· IPP15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220

· IPB15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)

· SPI80N03S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262

· NTD40N03R - On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ

· STD10PF06 - ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX - или Rds, или Id Y - тип канала ZZ – Vds.


Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.
· Vds - Drain to Source Voltage - максимальное напряжение сток-исток.

· Vgs - Gate to Source Voltage - максимальное напряжение затвор-исток.

· Id - Drain Current - максимальный ток стока.

· Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.

· Rds(on) - Drain to Source On Resistance - сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.

· Q(tot) - Total Gate Charge - полный заряд затвора.


И так опишем подробно каждую характеристику.
Vds, Vgs - параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
Id - параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
Vgs(th) - имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
Rds(on) - от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше - тем лучше. ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
Q(tot) - влияет на время перезаряда затвора, и соответственно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше - тем лучше.

Вот по этим шести характеристикам в основном и подбираются аналоги полевых транзисторов.

Вернуться к обсуждению:
Справочники по полупроводниковым приборам и ИМС
7
IT_Exp
Эксперт
87844 / 49110 / 22898
Регистрация: 17.06.2006
Сообщений: 92,604
01.05.2010, 00:17

Заказываю контрольные, курсовые, дипломные и любые другие студенческие работы здесь или здесь.

Проектирование схем на ИМС
Добрый день - вот спроектировав схему, я ее показал человеку с конструкторского бюро РЭО, он сказал...

Аналоги ИМС в Multisim
здравствуйте , нужна помощь в программе multisim . а именно никак немогу в ней найти к561ие10, к...

Отечественные ИМС и их аналоги
Подскажи пожалуйста какими аналогами можно заменить следующие ИМС: К1113ПВ1 К590КН3 К580ВА86

Создать базу по ИМС
Здравствуйте. Вообще не разбираюсь в пром. электронике и очень нужна ваша помощь. Встала задача...

0
КиберФорум - форум программистов, компьютерный форум, программирование
Powered by vBulletin® Version 3.8.9
Copyright ©2000 - 2021, vBulletin Solutions, Inc.