Параметр dV/dt полевого транзистора

Нигде не могу найти толкового объяснения параметра транзистора (скрин 1), который указан в даташите, из-за этого не могу перейти к следующей теме. Не понимаю смысла этого параметра и вот из-за чего.
Читая книжку по силовой электронике, наткнулся на такое дело (скрин 2). Если сопротивление резистора в цепи затвора велико, то скорость коммутации транзистора уменьшится, а следовательно tком будет велико, короче, условно говоря он будет долго открываться. И тут следует следующее предложение, цитирую: "а изменение напряжения «сток-истою> в единицу времени -
велико". Тут я подзадумался, как может быть скорость изменения dV/dt быть большой, если время коммутации большое???!

Автор также привёл пример (скрин 3).

Скрин 3


Буду очень благодарен, если поможете разобраться и понять, что это за dV/dt.

Скрин1


Скрин2

0

Сообщение от DedIn Читая книжку по силовой электронике

К сожалению, косноязычность изложения в технической литературе отменить невозможно. Особенно если это ни к чему не обязывает автора. Просто попробуйте почитать другую книжку. А лучше Application Note - в таких документах "нечёткое" изложение встречается гораздо реже, т.к. это вредит репутации фирмы.

А понять - очень просто.
В МОП-транзисторах есть паразитный биполярный транзистор (технологически при изготовлении так получается, и избавиться от него видимо очень сложно).

Со стока на его базу есть паразитная ёмкость. Уменьшить её величину тоже очень сложно.
При большой скорости нарастания напряжения на стоке, через эту ёмкость получается ток, достаточный для открывания этого паразитного биполярного транзистора.
Нарастание напряжения на стоке происходит при закрывании полевого транзистора, и если как раз в этот момент откроется паразитный биполярный транзистор, произойдёт отказ в работе схемы из-за броска тока, что может привести и к выходу всего транзистора из строя.
Поэтому в схеме должно обеспечиваться ограничение скорости нарастания напряжения на стоке, чтобы паразитный биполярный транзистор не открывался. Максимально-допустимое значение dV/dt, при котором паразитный биполярный транзистор ещё не открывается, указывается в даташитах (изготовитель конкретного транзистора знает и значение паразитной ёмкости, и характеристики паразитного биполярного транзистора). Из книжек это значение брать нельзя.

Ваше непонимание, почему скорость нарастания напряжения на стоке "неправильно" зависит от скорости переключения транзистора тоже понятно. Это потому, что такой зависимости практически нет.
Скорость нарастания напряжения на стоке определяется в основном внешними элементами схемы. Например, если вы увеличите напряжение питания, скорость нарастания напряжения возрастёт. А если поставите с истока на сток конденсатор большой ёмкости, то хоть ты тресни, большую скорость нарастания напряжения не получишь - на конденсаторе напряжение не может меняться мгновенно. Конечно это только пример. При малой скорости нарастания напряжения на стоке время переключения затянется, на транзисторе во время переключения будет выделяться очень большая мощность, которая запросто может его выжечь.
В общем, правильный рассчёт внешних цепей с учётом максимально-допустимой для данного транзистора скорости нарастания напряжения, - это тоже одна из основных задач при проектировании схемы, наравне с рассчётом цепей управления затвором для обеспечения максимально быстрого (или оптимального) переключения.

1

Спасибо за ответ, сейчас буду вникать

0