Справочники по полупроводниковым приборам и ИМС

@denver · Регистрация: 19.09.2009

Студворк — интернет-сервис помощи студентам

Широко распространено три основных видов диодов: кремневые, германиевые, диоды Шотки. Эти разновидности диодов много чем отличаются, но для нас решающее значение играют быстродействие, прямое падение напряжения, максимальный прямой ток и максимальное обратное напряжение. По быстродействию кремниевые и германиевые примерно находятся на одном уровне, но диоды Шотки отличаются очень значительным быстродействием по сравнению с предыдущими. Прямое падение напряжения для каждого вида свое, наибольшее оно у диодов из кремния (около 1 - 1,5 В), у германиевых поменьше (примерно 0,7В), и совсем маленькое у диодов Шотки (до 0,4В). Максимальный прямой ток у всех видов диодов не имеет никаких конкретных особенностей и ограничений, он зависит от технологии изготовления диода. Чего не скажешь про обратное напряжение, у кремниевых оно принимает самые высокие значения, у германиевых - пониже, у диодов Шотки совсем маленькое. Для получения большего КПД следует выбирать диоды с минимальным прямым падением напряжения и большим быстродействием.
Прилагаю очень хорошую справку с характеристиками и корпусами. В дальнейшем выложу маркировку.

@denver · 30.04.2010, 23:56 **[ТС]**

Все чаще и чаще в электроники занимают почетное место полевые транзисторы. Поэтому есть смысл написать по этому поводу статью.

Для начало ознакомимся с мерами предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.
При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

И так проверка исправности полевого транзистора

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N переходов (предел, отмеченный значком диода). Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах.

Рассмотрим проверку на примере транзистора 20N03:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения.
В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.
Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке - СТОКУ (D), красным (положительным) - к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 - 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.
Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения - полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150...170 мВ
Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки - СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (МДП) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства.
Рисунки корпусов даны ниже.
1)Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

3)Корпус типа SO-8. Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

4)Корпус типа SuperSO-8, он же - TDSON-8. тличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути - полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet - в дословном переводе "бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

@denver · 01.05.2010, 00:17 **[ТС]**

Полевые транзисторы наиболее хорошо подходящие для преобразовательной техники. Преимуществ перед биполярными у них уйма, а самое что привлекательное, цена ниже . Наиболее важные преимущества полевиков, на мой взгляд следующие:
1)Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность.
2) преимущество полевого транзистора можно обнаружить, если вспомнить, что в биполярном транзисторе, помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые прибор приобретает, благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано хорошо нам знакомое время рассасывания, что в конечном итоге обуславливает задержку выключения транзистора. В полевых врюзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью.
3) повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока. Поведение биполярного транзистора более сложно, повышение его температуры ведет к увеличению тока. Это означает, что биполярные транзисторы не являются термоустойчивыми приборами. В них может возникнуть очень опасный саморазогрев, который легко выводит транзистор из строя.
4) Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число MOSFETов без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассимметрирования токов, что, очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности.
5) полное отсутствие вторичного пробоя. Это преимущество позволяет эффективнее использовать полевой транзистор по передаваемой мощности.
Что касается выбора транзисторов, то порядок примерно тот же самый, сначала быстродействие затем мощность.
Ну и так все по порядку.

Подбираем аналог полевика.

речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, "logic-level", полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения.

Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.
Примеры:

· IPP15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220

· IPB15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)

· SPI80N03S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262

· NTD40N03R - On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ

· STD10PF06 - ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX - или Rds, или Id Y - тип канала ZZ – Vds.

Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.
· Vds - Drain to Source Voltage - максимальное напряжение сток-исток.

· Vgs - Gate to Source Voltage - максимальное напряжение затвор-исток.

· Id - Drain Current - максимальный ток стока.

· Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.

· Rds(on) - Drain to Source On Resistance - сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.

· Q(tot) - Total Gate Charge - полный заряд затвора.

И так опишем подробно каждую характеристику.

Vds, Vgs - параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики.
Id - параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях.
Vgs(th) - имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах)
Rds(on) - от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше - тем лучше. ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63** и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!)
Q(tot) - влияет на время перезаряда затвора, и соответственно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше - тем лучше.

Вот по этим шести характеристикам в основном и подбираются аналоги полевых транзисторов.

@denver · 01.05.2010, 00:43 **[ТС]**

Отличный справочник по полевым транзисторам с подбором аналогов. Есть сортировка по производителям.

raxp · 12.01.2012, 15:11

Справочник по полупроводниковым приборам

Автор: Москатов Евгений.
Офсайт автора: http://www.moskatov.narod.ru.

Студентам, радиолюбителям, техникам может очень помочь этот большой справочник по диодам, стабилитронам, светодиодам, варикапам, туннельным диодам, тиристорам, биполярным и полевым транзисторам, микросхемам. В него включён большой объём данных, соизмеримый с крупными печатными изданиями — самыми дорогими техническими книгами. А данный справочник можно использовать бесплатно. В основу справочника положены федеральные технические условия, а не чужой справочник.

Cодержание:

Основные стандарты на полупроводниковые приборы
Классификация диодов
Классификация транзисторов
Классификация микросхем
Список принятых сокращений
Диоды выпрямительные
Диодные сборки
Светодиоды
Семисегментные индикаторы
Оптроны
Стабилитроны
Варикапы
Туннельные диоды
Тиристоры
Тиристоры импульсные
Диодные тиристоры
Оптотиристоры
Биполярные транзисторы
Однопереходные транзисторы
Двухэмиттерные транзисторы
Фототранзисторы
Полевые транзисторы
Рисунки цоколёвок транзисторов
Интегральные микросхемы
Микросхемные стабилизаторы напряжения
Операционные усилители
Микросхемы серии К174
Цифровые микросхемы
Рисунки цоколёвок микросхем
Номера ТУ некоторых приборов
Расшифровка кодов некоторых тиристоров, транзисторов и ИМС стабилизаторов
Расшифровка кодов некоторых диодов

raxp · 06.05.2012, 12:04

Соответствие отечественных микросхем импортным
+
Транзисторы биполярные отечественные

raxp · 29.04.2013, 07:52

SMD Decypher. Андроид-справочник по кодовой маркировке SMD компонентов

Справочники по полупроводниковым приборам и ИМС

забрать тут

=====================
SMD Каталог электронных компонентов для поверхностного монтажа.pdf @ "НПО Интеграл"

raxp · 08.09.2013, 19:33

Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы. Каталог НИИЭТ 2013

Интегральные микросхемы. Каталог НИИЭТ 2013

@maest · 02.01.2014, 21:33

Добрый вечер!

Подскажите, пожалуйста, справочник по транзисторам где можно найти значения h-параметров и сопротивлений коллектора, базы и эмиттера. Конкретно интересуют транзисторы П11, П15, П201.

raxp · 02.01.2014, 21:57

...отца русской демократии спасет:
В.К. Лабутин. Транзисторы общего назначения: Справочник.

p.s.: выложить по понятным причинам не могу, но гуглится на раз-два, в сети гуляет дежавю-вариант.

@maest · 02.01.2014, 22:26

raxp, спасибо, только П201 там нет.

raxp · 02.01.2014, 22:36

...зато есть два других и методика нахождения недостающих H-параметров.

@maest · 03.01.2014, 14:16

Не совсем понимаю, например для П11, h21 = -0.97. Ведь по схеме с ОЭ коэффициент усиления по току больше 1?

И все же, где можно найти параметры П201?

OldFedor · 03.01.2014, 14:25

Поможет? - http://www.155la3.ru/datafiles/p202.pdf

@maest · 03.01.2014, 14:48

Сообщение от OldFedor

Поможет? - http://www.155la3.ru/datafiles/p202.pdf

Спасибо, уже смотрел. Но там только h-параметры.

raxp · 14.01.2014, 17:54

Параметрический поиск и таблицы подбора ЭК по параметрам

@alexnavin · 22.01.2014, 16:30

Справочник из более чем 50 000 наименований импортных транзисторов.
1 - BI
2 - IGBT
3 - MOSFET

@alexnavin · 11.02.2014, 08:54

Более 20 000 наименований SMD-компонентов.
Марк. код / Наименование / Корпус / Описание / Фирма

@denver 1611 / 281 / 5 Регистрация: 19.09.2009 Сообщений: 700
	30.04.2010, 23:56 [ТС]	2
	Все чаще и чаще в электроники занимают почетное место полевые транзисторы. Поэтому есть смысл написать по этому поводу статью. Для начало ознакомимся с мерами предосторожности при работе с полевыми транзисторами Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет. При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности. При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой. И так проверка исправности полевого транзистора Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N переходов (предел, отмеченный значком диода). Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. Рассмотрим проверку на примере транзистора 20N03: У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от прикладываемого тестового напряжения. В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке - СТОКУ (D), красным (положительным) - к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 - 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения - полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150...170 мВ Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки - СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах. Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами. Определение цоколёвки полевых транзисторов Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (МДП) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными. Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства. Рисунки корпусов даны ниже. 1)Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко. 2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK. 3)Корпус типа SO-8. Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора. 4)Корпус типа SuperSO-8, он же - TDSON-8. тличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8 5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути - полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Интел на ряде своих плат Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet - в дословном переводе "бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF. Миниатюры Изображения 7

@denver 1611 / 281 / 5 Регистрация: 19.09.2009 Сообщений: 700
	01.05.2010, 00:17 [ТС]	3
	Полевые транзисторы наиболее хорошо подходящие для преобразовательной техники. Преимуществ перед биполярными у них уйма, а самое что привлекательное, цена ниже . Наиболее важные преимущества полевиков, на мой взгляд следующие: 1)Он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), это значительно упрощает схему и снижает затрачиваемую на управление мощность. 2) преимущество полевого транзистора можно обнаружить, если вспомнить, что в биполярном транзисторе, помимо основных носителей тока, существуют также и неосновные, которые прибор приобретает, благодаря току базы. С наличием неосновных носителей связано хорошо нам знакомое время рассасывания, что в конечном итоге обуславливает задержку выключения транзистора. В полевых врюзисторах нет неосновных носителей, поэтому они могут переключаться с гораздо более высокой скоростью. 3) повышенная теплоустойчивость. Рост температуры полевого транзистора при подаче на него напряжения приведет, согласно закону Ома, к увеличению сопротивления открытого транзистора и, соответственно, к уменьшению тока. Поведение биполярного транзистора более сложно, повышение его температуры ведет к увеличению тока. Это означает, что биполярные транзисторы не являются термоустойчивыми приборами. В них может возникнуть очень опасный саморазогрев, который легко выводит транзистор из строя. 4) Термоустойчивость полевого транзистора помогает разработчику при параллельном соединении приборов для увеличения нагрузочной способности. Можно включать параллельно достаточно большое число MOSFETов без выравнивающих резисторов в силовых цепях и при этом не опасаться рассимметрирования токов, что, очень опасно для биполярных транзисторов. Однако параллельное соединение полевых транзисторов тоже имеет свои особенности. 5) полное отсутствие вторичного пробоя. Это преимущество позволяет эффективнее использовать полевой транзистор по передаваемой мощности. Что касается выбора транзисторов, то порядок примерно тот же самый, сначала быстродействие затем мощность. Ну и так все по порядку. Подбираем аналог полевика. речь пойдет о подборе аналогов N-канальных, "logic-level", полевых транзисторов которые можно встретить в цепях питания на материнских платах и видеокартах. Logic-level, в данном случае, означает, что речь идет о приборах которые управляются, т.е. способны полностью открывать переход Drain to Source, при приложении с затвору относительно небольшого, до 5 вольт, напряжения. Система маркировки полевых транзисторов Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток. Примеры: · IPP15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220 · IPB15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK) · SPI80N03S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262 · NTD40N03R - On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ · STD10PF06 - ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX - или Rds, или Id Y - тип канала ZZ – Vds. Основные характеристики N-канального полевого транзистора Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров. · Vds - Drain to Source Voltage - максимальное напряжение сток-исток. · Vgs - Gate to Source Voltage - максимальное напряжение затвор-исток. · Id - Drain Current - максимальный ток стока. · Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток. · Rds(on) - Drain to Source On Resistance - сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии. · Q(tot) - Total Gate Charge - полный заряд затвора. И так опишем подробно каждую характеристику. Vds, Vgs - параметры всегда учитываемые, т.к. если если их превысить транзистор выходит из строя. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора. В случае работы в импульсном преобразователе не стоит использовать приборы с запасом по рабочему напряжению более чем в 2-2.5 раза, т.к. приборы с большим рабочим напряжением, как правило, имеют худшие скоростные характеристики. Id - параметр важный только в импульсном преобразователе, т.к. в остальных случаях ток крайне редко превышает 10% от номинального даже не слишком мощных приборов. Должен быть больше либо равен аналогичному параметру заменяемого прибора в случае с импульсным преобразователем, и быть не меньше 10 ампер в остальных случаях. Vgs(th) - имеет, некоторое, значение при работе в линейном стабилизаторе, т.к. только там транзистор работает в активном, а не ключевом, режиме. Хотя практически logic-level полевых транзисторов которые могут не подойти по этому параметру не выпускается. Данный параметр критичен для линейных стабилизаторов, где в качестве управляющего элемента используется TL431 с питанием от +5В (к примеру, такая схема часто используется в линейных стабилизаторах напряжения на видеокартах) Rds(on) - от этого параметра прямо-пропорционально зависит нагрев транзистора работающего в ключевом режиме, при прохождении тока через открытый канал. В данном случае чем меньше - тем лучше. ВНИМАНИЕ не следует забывать что защита от токовой перегрузки и КЗ ШИМ серий HIP63 и некоторых других исползует Rds(on) нижнего ключей (те что с дросселя на землю) в качестве датчика тока-зачителное его изменение изменит ток защиты и либо защита по току-будет работать раньше чем надо-результат просадки питания на пиках нагрузки-либо ток КЗ столь велик что убьет ключи раньше чем мама отключит БП снятием PW-ON поэтому строго говоря надо еще и Risen у шимки поменять(но это никто обычно не делает!) Q(tot)** - влияет на время перезаряда затвора, и соответственно способно затягивать открытия и закрытия транзистора. Опять же чем меньше - тем лучше. Вот по этим шести характеристикам в основном и подбираются аналоги полевых транзисторов. 7

@maest 79 / 34 / 6 Регистрация: 11.11.2010 Сообщений: 496
	02.01.2014, 21:33	9
	Добрый вечер! Подскажите, пожалуйста, справочник по транзисторам где можно найти значения h-параметров и сопротивлений коллектора, базы и эмиттера. Конкретно интересуют транзисторы П11, П15, П201. 0

raxp 10229 / 6607 / 498 Регистрация: 28.12.2010 Сообщений: 21,159 Записей в блоге: 1
	02.01.2014, 21:57	10
	...отца русской демократии спасет: В.К. Лабутин. Транзисторы общего назначения: Справочник. p.s.: выложить по понятным причинам не могу, но гуглится на раз-два, в сети гуляет дежавю-вариант. 1

@maest 79 / 34 / 6 Регистрация: 11.11.2010 Сообщений: 496
	02.01.2014, 22:26	11
	raxp, спасибо, только П201 там нет. 0

raxp 10229 / 6607 / 498 Регистрация: 28.12.2010 Сообщений: 21,159 Записей в блоге: 1
	02.01.2014, 22:36	12
	...зато есть два других и методика нахождения недостающих H-параметров. 1

@maest 79 / 34 / 6 Регистрация: 11.11.2010 Сообщений: 496
	03.01.2014, 14:16	13
	Не совсем понимаю, например для П11, h21 = -0.97. Ведь по схеме с ОЭ коэффициент усиления по току больше 1? И все же, где можно найти параметры П201? 0

OldFedor 7483 / 4147 / 474 Регистрация: 25.08.2012 Сообщений: 11,529 Записей в блоге: 11
	03.01.2014, 14:25	14
	Поможет? - http://www.155la3.ru/datafiles/p202.pdf 1

@maest 79 / 34 / 6 Регистрация: 11.11.2010 Сообщений: 496
	03.01.2014, 14:48	15
	Сообщение от OldFedor Поможет? - http://www.155la3.ru/datafiles/p202.pdf Спасибо, уже смотрел. Но там только h-параметры. 0

raxp 10229 / 6607 / 498 Регистрация: 28.12.2010 Сообщений: 21,159 Записей в блоге: 1
	14.01.2014, 17:54	16
	Параметрический поиск и таблицы подбора ЭК по параметрам http://www.analog.com/ru/pSearch.html http://www.ti.com/tihome/docs/paramsearches.tsp http://catalog.gaw.ru/index.ph... nents_list http://www.chipdip.ru/catalog http://www.promelec.ru/catalog http://www.compel.ru/application ... 2

Опции темы