Второй каскад

Есть значит ОЭ на входе у него 10мВ, на выходе 360мВ получится ли подключить второй каскад ОЭ с маломощным транзистором? Не много ли 360мВ в базу, потянет?
0

0

в какой книге? конкретную книгу и конкретную цитату.

Да непомню в какой книге.
Есть три признака в каких случаях транзистор в насыщении:
1. Переход БК под прямым напряжением.
2. Напряжение КЭ=0,2-0,3в то самое Usat
3. Напряжение БЭ намного больше 0,6в
Любой из признаков даёт насыщение.

На БЭ сумма напряжения сигнала и напряжения на эмиттерном резистор

Опять ОС!?
Нет у нас ОС.
Представим ситуацию что нет эмиттерного резистора, всё тоже самое но без него, что будет с транзистором средней мощности? По пункту три должен быть в насыщении.

0

Сообщение от sxema Нет у нас ОС.

Если резистор в эмиттере, это ООС, очень хорошо помогает для температурной стабильности, но также понижает усиление, значит надо повышать сопротивление в коллекторе и повышать усиление, но тогда падает ток коллектора.
Резистор в эмиттере заодно повышает входное сопротивление транзистора, относительно общего провода конечно. И также можно дать 10В в базу, относительно общего провода. А вот 0.6В именно БЭ работает всегда, при превышении входит в насыщение, ну так не надо до этого доводить, выставил половину напряжения на коллекторе, это примерно нормальная рабочая точка, хотя это не так конечно в итоге, но зато предварительно типа настроил.
Резистор и конденсатор практически не дают шумов. Резистор даже используют в качестве эталона шумов, вот оно как.
А шум транзистора можно регулировать, но это обычно не требуется и так сойдет.
Насчет 1 мА. Есть транзисторы, у которых в даташите написано, что наименьший шум при 15 мА. Так что читаем даташит, это главный учебник.
А с теорией...все плохо. Понятно, что читал по диагонали. Но про шум, это бред конечно придумал.

0

Сообщение от sxema 3. Напряжение БЭ намного больше 0,6в

тогда уже речь не о насыщении а о неисправности на PNпереходе не может быть больше 0,6 В иначе просто переход сгорит

Сообщение от sxema Да непомню в какой книге.

так найди и перечитай

0

Сообщение от ValeryS на PNпереходе не может быть больше 0,6 В иначе просто переход сгорит

Не совсем так, открываем даташит и смотрим, можно на БЭ подавать до 1В. Но вообще лучше определять сгорание БЭ по току в базе, на маломощные до 100 мА, на мощные до 1А. Если не превышать, все норм будет, ограничиваем резистором ток в базе, это обязательно при конструировании схемы. В учебниках этого нет.

0

Сообщение от 119zero ограничиваем резистором ток в базе, это обязательно

речь идет о напражении на переходе база-эммитер

Сообщение от sxema 3. Напряжение БЭ намного больше 0,6в

0

Сообщение от sxema Опять ОС!? Нет у нас ОС.

У Вас в голове нет, а по схеме есть. Такие вот дела.

Если Вы задаёте вопрос, следовательно, Вы не знаете ответ (ну, или не до конца знаете ответ).

Вы сюда зачем написали? Просто поспорить, или получить ответ на вопрос?

0

Сообщение от sxema Дык у меня и есть цель. Соединить два ОЭ Первый каскад на транзисторе с1815 на выходе 360мВ. Второй каскад sb050. Вот сижу и думаю влезит ли 360мВ в базу второго каскада?

Начнем считать по-другому. Пусть будет питание 12В. На базу 2 каскада приходит 360 мВ, пусть будет усиление 10, на выходе 3.6В, это меньше 12В? Значит все нормально. Но тут смотря как считать, это амплитуда полупериода 3.6В ? Значит норма для усиления 1 полупериода ! Не 2-х полупериодов !
Если это амплитуда положительного+отрицательного полупериода, значит будет 7.2В, тоже норма. Если это среднеквадратичное RMS, переводим в амплитудное p2p (пик2пик) 7.2*1.41=10.1 В, тоже норма, есть запас 2В.
Далее каскад ОК, он усиливает ток. 10.1-0.6=9.5В неискаженой амплитуды 2 полупериодов.
Получаем НЧ усилитель ? Похоже на это. Считаем выходную мощность. Берем амплитуду 1 полупериода p2p на уровне 0.7, ток выходной принимаем более реальный 0.1А, 9.5/2*0.7*0.1=0.33 Вт.
Считаем, что на входе. Пусть будет усиление 50 первого каскада. Значит 360 мВ/50=7 мВ. Похоже на микрофон.

Сообщение от sxema Кстати 360мВ это не амплитудное а действующее RMS по осциллографу

Это точно полупериод ? Начинающие измеряют как хотят, проверять надо.

0

Конечно я пришёл сюда что бы получить ответы.
Основной вопрос крутится вокруг перехода БЭ и те самые 0,6в.
Рассматриваются схемы БЕЗ эмиттерного резистора.
Выходной сигнал после каскада транзистора малой мощности составляет 360мВ, понимаем что если вторым каскадом буде транзистор малой мощности то сигнал попадёт в насыщение ибо на переходе БЭ будет 960мВ(данное напряжение свидетельствует о том что ток коллектора будет большим а это насыщение).
Далее, приходит логичная мысль а если поставит вторым каскадом транзистор средней мощности? У него же характеристики круче, он выдерживает больше тока, больше напряжения в конце концов он мощнее и сигнал должен пройти...
НО казалобы при всей его крутости на переходе БЭ у нас опять теже самые 960мВ ааа это перебор и он тоже уйдёт в насыщение, вопрос так ли это?
Да и развивая дальше мысль получается и для транзистора Большой мощности тоже самая ситуация что совсем печально...
Вот такой ёмкий вопрос...

0

Сообщение от sxema Вот такой ёмкий вопрос...

0.6В надо учитывать только в схемах постоянного тока, например в автоматике.
По переменному току забей на теорию, расчет как я написал выше, иначе голова болеть будет. Надо знать входное и выходное сопротивление каскада, усиление, начальный ток коллектора, напряжение питания и установить половину напряжения на коллекторе. Вроде все.
Далее применяешь в расчете усиление по напряжению или усиление тока для выходного каскада. ОЭ кстати тоже усиливает ток, иногда этого хватает, или ОК, если нужен только ток.
Транзистор средней мощности предназначен для тока, с усилением у него все грустно, а напряжение КЭ 100В роли не играет, это означает, что он просто не пробьется при 12В.
И конечно надо помнить, что увеличивая питание, усиление транзистора растет.

0

Сообщение от sxema Основной вопрос крутится вокруг перехода БЭ и те самые 0,6в. Рассматриваются схемы БЕЗ эмиттерного резистора.

Забудьте про транзистор, эмиттерный резистор и штудируйте p-n-переход. Пока не поймёте что это такое, на следующий уровень рано.

Сообщение от sxema если поставит вторым каскадом

А если поставить третьим каскадом, то это вообще зависание А ведь бывает каскадов десятки, как оно всё только работает.

0

Сообщение от yoric если поставить третьим каскадом, то это вообще зависание

Прямоугольный сигнал получится из синусоиды.

Сообщение от yoric бывает каскадов десятки

Это для микровольт обычно, сложно разогнать амплитуду, когда каскады транзисторов друг друга шунтируют и сигнал растет не слишком много по этой причине. Вот и каскадов много, никто не парится на эту тему

0

Сообщение от 119zero Прямоугольный сигнал получится из синусоиды.

Он и на одном каскаде может получиться.

Сообщение от 119zero Это для микровольт обычно

Цифровая схемотехника - десятки....миллиарды каскадов с сигналом лог1. (до 12В для ровного счёта). Усилители? Усилители

0

Сообщение от yoric Усилители

Если УНЧ, там только 2-4 транзистора обычно усиливают напряжение, остальные качают ток.

0

Сообщение от sxema схемы БЕЗ эмиттерного резистора.

Если без эмиттерного резистора, то второй каскад будет ограничивать сигнал. Так как Вам это не нужно, то ставьте эмиттерный резистор , причём без эмиттерного конденсатора (таким образом получится ООС).

Сообщение от sxema если вторым каскадом буде транзистор малой мощности то сигнал попадёт в насыщение

Всё равно какой мощности транзистор, без ООС будет насыщение, у разных pn-переходов вольт-амперные характеристики отличаются несущественно.

Сообщение от sxema на переходе БЭ у нас опять теже самые 960мВ ааа это перебор и он тоже уйдёт в насыщение, вопрос так ли это?

Без ООС именно так. А вот с ООС сигнал на БЭ будет в десятки раз меньше 960 милливольт, благодаря этой самой ООС (в виде эмиттерного резистора, например).

Сообщение от sxema Вот такой ёмкий вопрос...

Ну, потому что не понятно о чём спрашиваете.

Со входным сигналом хоть что-то ясно: он 36 милливольт переменного напряжения. Напишите, что является источником этого сигнала. Напишите хотя бы, какой общий коэффициент усиления требуется, и на что должен быть нагружен усилитель. Не ведите себя, как партизанен яйки подвешен, опишите Вашу задачу подробнее. Пока что из Вас инфу клещами приходится вытягивать.

0

Сообщение от sxema ОЭ на входе у него 10мВ, на выходе 360мВ получится ли подключить второй каскад ОЭ с маломощным транзистором? Не много ли 360мВ в базу, потянет?

Считаем. 10В/.036В=27 усиление.
Потянет. В эмиттер 100 Ом, в коллектор 2.7 кОм, далее подать на ОК.

0

Яж говорю цель теоритическо - практическая.
Что бы что-то собрать надо знать теорию. Поэтому цель двойная.
По этому взял усилитель мог бы взять ШИМ мог бы взять БП для этой цели не суть.

Под цель и не понимание перехода БЭ, было взято.
Два каскада ОЭ и каскад ОК на выходе динамик на входе микрофон.
Вместо микрофона для экспериментов пока был выбран генератор от осциллографа, поскольку синус с генератора слишком плохо имитирует микрофон ибо выходное у микрофона в милливольтах а у генератора RMS синуса 1,6в генератор был задавлен резистором 75кОм что дало 10мВ.

Ну как то так...

0

Сообщение от sxema ШИМ мог бы взять БП для этой цели не суть.

Большая разница.

Ну собно, все понятно, паял, но книжек не читал, потому что лень.
Без знания основ никогда не разберешься. Про ООС хотя бы почитай и про 3 схемы включения транзистора. ОУ тоже надо знать, какое включение выгодно для конкретной реализации, там тоже не все так просто.
Какое входное сопротивление твоего усилителя ? А усиление первого каскада измерил ?
Я заметил, кто по профилю учился, они сразу схватывают, у них нет проблем понять про реактивность С или про ОБ транзистора, общее понятие имеют, цифры им говорю, запомнили. А если человек понятия не имеет, какое выходное сопротивление транзистора... Чисто логически подумать никак ? Вот схема, вот номиналы. Нееее, тупить будет.
Без основ никак. Что такое резистор, кондер и индуктивность например, я ведь могу задать несколько вопросов, не сможешь ответить, например в добротности запутаешься. Вот и 0.6В не смог понять, в книгах написано и выше я написал, что 10В можно в базу подать. Уперся в БЭ и не читает каменты.
А про ШИМ никто километры текста писать не будет. Там нюансов - миллион.
RMS полупериода или периода ? Как измерял ? Сомнения берут. Напиши подробно. И как давил резистором, последовательно или делитель ? Опять сомнения, тогда уж рисуй сразу.
В общем, твой косяк, написал бы сразу про схему с микрофоном, быстрее бы сказали. Получилось, что мозги всем компостировал и в итоге ничего не понял.

Добавлено через 16 минут

Сообщение от sxema Под цель и не понимание перехода БЭ, было взято.

Что касается БЭ 0.6В.
Ток по КЭ протекает ? Да. Теперь вставим резистор в эмиттер. Потенциал эмиттера по отношению к земле изменился ? Да. Вот таким образом 10В в базу легко заходит. А потенциал 0.6В не меняется.
Это сложно понять.

0