Tyom

Привожу оригинальную инструкцию по работе с пленочным фоторезистом (сканировано с первоисточника)

Технологические операции, которые необходимо выполнять при работе с СПФ-ВЩ:

1. Подготовка поверхности.
а) зачистка шлифованным порошком («Маршалит»), размер M-40, промывка водой
б) декапирование 10% раствором серной кислоты (10-20 сек), промывка водой
в) сушка при T=80-90 гр.Ц.
г) проверка - если в течение 30 сек. на поверхности остается сплошная пленка - подложка готова к работе,
если нет - повторить все сначала.

2. Нанесение фоторезиста.
Нанесение фоторезиста производится на ламинаторе с Твалов =80 гр.Ц. (см. инструкцию работы на ламинаторе).
C этой целью горячая подложка (после сушильного шкафа) одновременно с плёнкой из рулона СПФ направляется в зазор между валов, причем полиэтиленовая (матовая) плёнка
должна быть направлена к медной стороне поверхности. После прижима пленки к подложке начинается движение валов, при этом полиэтиленовая пленка снимается, а слой
фоторезиста накатывается на подложку. Лавсановая защитная пленка остается сверху. После этого пленка СПФ обрезается со всех сторон по размеру подложки и
выдерживается при комнатной температуре в течение 30 минут. Допускается выдержка в течение от 30 минут до 2 суток в темноте при комнатной температуре.

3. Экспонирование.
Экспонирование через фотошаблон производят на установках СКЦИ или И-1 с УФ-лампами типа ДРКТ-3000 или ЛУФ-30 с вакуумным разрежением 0,7-0,9 кг/см2. Время
экспонирования (для получения рисунка) регламентируется самой установкой и подбирается экспериментально. Шаблон должен быть хорошо прижат к подложке! После
экспонирования заготовка выдерживается в течение 30 минут (допускается до 2 часов).

4. Проявление.
После экспонирования проводится процесс проявления рисунка. C этой целью с поверхности подложки снимается верхний защитный слой - лавсановая пленка. После
этого заготовка опускается в раствор кальцинированной соды (2%) при T=35 гр.Ц. Через 10 секунд начинают процесс снятия незасвеченной части фоторезиста с помощью
поролонового тампона. Время проявления подбирают опытным путем. Затем подложку вынимают из проявителя, промывают водой, декапируют (10 сек.) 10%-
ным раствором H2SO4 (серная кислота), снова водой и сушат в шкафу при T=60 гр.Ц. Полученный рисунок не должен отслаиваться.

5. Полученный рисунок.
Полученный рисунок (слой фоторезиста) устойчив для травления в:
- хлорном железе
- соляной кислоте
- сернокислой меди
- царской водке (после дополнительного задубливания)
и др. растворах

6. Срок годности фоторезиста СПФ-ВЩ.
Срок годности СПФ-ВЩ 12 месяцев. Хранение осуществляется в темном месте при температуре от 5 до 25 гр.Ц. в вертикальном положении, завернутым в черную бунигу.

Вернуться к обсуждению:
Пленочный фоторезист Электроника